Sistema RIE
Il sistema RIE (reactive ion etching) è un metodo ion-assisted reactive basato su una combinazione di attacco chimico e fisico che consente la rimozione del materiale isotropico e anisotropo.
Il R.I.E impiega principalmente processi nei quali pesanti bombardamenti di ioni danneggiano i legami chimici: i radicali reagiscono chimicamente con gli atomi esposti superficialmente, producendo un prodotto volatile.
Documenti
- Adatto a lavorare con gas inerti e reattivi per l’attacco di sio2, al2o3, au, cr2o3, al, mosi2, tasi2, gas.
- Consente piccole unità produttive con capacità di 10-40 wafer all’ora.
- Indicato per forme irregolari. Porta substrato collegato all’alimentatore rf.
- Flusso di gas uniforme in superficie con un buon confinamento del plasma grazie al cilindro in pyrex.
- Il porta-substrato può essere progettato per incidere campioni con diverse dimensioni (da 2″ fino a 8″ di diametro)
- Temperatura: può essere riscaldata fino ad un massimo di 300°C e raffreddata fino ad un minimo di -20°C.
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