Cluster

Lo sputtering è un processo PVD a bassa temperatura-alta energia nel quale un target viene bombardato da ioni e vaporizzato, per poi essere depositato su un substrato sotto forma di un sottile strato atomico.

L'evaporazione è un processo PVD a bassa energia e alto tasso di deposizione nel quale il materiale viene riscaldato.

La deposizione al plasma ad arco catodico è un processo PVD ad alta energia con un tasso di deposizione elevato, principalmente per metalli con bassa conduttanza termica.

RIE (reactive ion etching) / IBE (ion beam etching) è un metodo ion-assisted reactive basato su una combinazione di attacco chimico e fisico che consente la rimozione del materiale isotropico e anisotropo.

Le tecnologie PVD possono essere combinate in una soluzione polivalente dove sono richiesti due o più processi su un substrato, mantenendo sempre un ambiente di deposizione pulito.

La migliore soluzione per evitare la contaminazione incrociata in una deposizione multi-processo che prevede la deposizione in contemporanea in più camere.

Plasma enhaced chemical vapor deposition è una tecnologia a media energia ed elevato tasso di deposizione, che utilizza precursori allo stadio liquido o gassoso, dove le loro componenti chimiche vengono frantumate e poi ricombinate per essere depositate sulla superficie del substrato.

La PLD prevede l'uso di un laser ad alta energia per ablare (vaporizzare) un materiale target in un vuoto o in un'atmosfera controllata. Il materiale ablato viene poi depositato su un substrato posto di fronte al bersaglio...

In una camera pulita, l'umidità, la temperatura e l'atmosfera concentrata di gas viene prodotta e controllata, consentendo di testare e calibrare dispositivi sensori di gas.

Riscaldatori e raffreddatori, manipolatori e dispositivi meccanici speciali possono essere progettati su richiesta.

La nuova generazione di catodi Sputtering che non cede calore ai substrati durante la deposizione. Sviluppato e brevettato da Kenosistec.